SJT 10333-1993 单结晶体管测试方法
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ID： |
CA26DCF8AC4445C6B0DE1D71E38CF479 |
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文件大小(MB)： |
0.13 |
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页数： |
8 |
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文件格式： |
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日期： |
2009-6-11 |
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si,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 10333一93,单结晶体管测试方法,1993-03-25发布1993-10-01实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业标准,SJtT 10333-93,单结晶体管测试方法,主题内容和适用范围,本标准规定了PN硅单结晶体管的测试方法,本标准适用于各种PN硅单结晶体管(以下简称器件)的参数测试,在引用本标准时，有关的具体要求应在相应的详细规范中加以规定,2 总则,2.1 引言,本 标 准 中的测试方法只规定了该方法的工作原理，因此，没有必要规定这些方法在实际使,用时的技术细节，在有误差要求的地方(与测试条件有关)，应按规定把它们取为实际侧量系统,所允许的最大偏差,当 出 现 一个参数有几种测试方法时，应采用更适合于生产检验的方法,2_2 一般注意事项,2.2.1 对器件和测量仪表的保犷,2.2.1.1 极限值,对于 所 有 测试的试验条件，都不应超过器件的极限值,在 零 偏 置时，方可允许将被测器件播入或取下,2.2.1.2 测试仪表,要 防 止 因失效的器件或错误的连接而引起仪表过载,各 类 测 试仪表的误差，均指满刻度而言,2.2.2 测试精度,2:2.2.1 电参数指示用的电表(包括用电阻扩展量程后的电压表和电流表)其误差不大于,1.5%0,2.2.2.2 工作点指示用的电表，其误差不大于2.5%,2.2.2.3 测试10泌以下的直流电流时，允许采用误差不大于4%的电表,2.2.2.4 测试用电压表的内阻应足够大，使通过的分流电流小于被测管工作电流1%o,2.2.3 对电源的要求,2.2.3.1 在测试设备中，用交流整流作直流电源时，波纹系数不超过0.5%0,2.2.3.2 恒流源和稳压源的电流、电压在给定值范围内的误差不超过t5%a,2.2.4 测试环土落条件,正 常大 气 条件:温度25土5℃,中华人民共和国电子工业部1993-03-25发布1993-10-01实施,SJ/T 10333-93,相 对 湿 度 45 % -7 5 %,气 压 86 一 10 6k Pa,2.2.5 定义,为 了达 到 本标准的目的，下述定义要应用到实际的测试电路中去,2.2.5.1 分压比(，),发射 极 峰 点电压VP减去二极管势垒压降Vu，与基极电压v‘二的比值,2.2.5.2 基极间电阻(RBB),在 规 定的 基极电压和发射极开路的条件下，第一基极(Bl)和第二基极(B2)之间的电阻,2.2.5.3 发射极饱和压降(Vm(Ba刁,在发 射 极 与第一基极间注入规定的饱和电流IE，被测管基极间加以规定电压值时，发射,极与第一基极间的电压降,2.2.5.4 基极间调制电流〔Im(mad)),在发 射 极 与第一基极间注入规定的饱和电流IE，被测管基极间加以规定电压值时，从第,二基极流过的电流,2.2.5.5 发射极与第二基极间反向电流(I. ),第一 基 极 开路时。在发射极与第二基极间加规定的反向电压V二条件下，发射极的反向,电流,2.2.5.6 发射极峰点电流UP),基极 间 加 以规定电压值，发射极与第一基极电压VEB，达到最大值时流过发射极的电流,5.7 发射极谷点电压Vv,在发射极伏安特性曲线(图1)中，负阻段到饱和段拐点所对应的电压值,5.8 发射极谷点电流(I.),发射极谷点电压所对应的电流值,r. 1 1,0 月‘ 月‘,值2 2,F， - - -,二“。_八一二 1 1 I 、 一产沪产,v,-一十一}一“,r. t.,图1 伏安特性曲线,测试方法,3.1 分压比('I),3.1.1 直流法,a. 目的,在 规定和测量的条件下，计算分压比,一2 一,SJ/T 10333-93,b. 电路图(图2),图 2 分 压 比 测 试 电 路 ( 直 流 测 试 ),c， 电路 说明和要求,R: 为 限 流电阻，其阻值应使当被测管短路时，不致使电流表损坏,d. 测 量 步骤,调节 基 极 稳压源G2，使基极电压Vaz。达到规定值,调节 发 射 极稳压源G1，缓慢增加发射极电压VE B1值，当电压表指针V二突然下降前的一,瞬间V}，值即为峰点电压vP值，由下式求出分压比刀的值。一,VP 一 VD,= VB 2B1,式中:VD 势垒压降，VD是lp时的VD值,e. 规 定 条 件,基 极 电 压 ,3.1.2 交流法,a. 目 的,在规 定 的 条件下，测量分压比,b. 电 路图(图3),图 3 分 压 比 测 试 电 路 ( 交 流 测 试 ),c.电路说明和要求,R R:为限流电阻，其阻值应在校准电流表时，能使其调至满刻度,RT,CT其值应保证被测管能起振，(且频率不能过低，以免测量时，振幅下降),C，为滤波电容，应保证COP'CT -,S7/T 10333-93,D为硅二极管,d. 测量步骤,调节基极稳压电源G，使基极电压VB2B:达到规定值,接通校准开关S，调节R1，使，参数表满刻度,断开校准开关S,，参数表上的指示值即为被测分压比I值,e. 规定条件,基极电压,基极间电阻(RBB),a. 目的,在规定的条件下，计算基极间电阻,b. 电路图(图4),1, 妞 1,A,V,F二1,图 4 基 极 间 电 阻 测 试 电 路,c. 测量步骤,发射极开路,调节基极稳压源G，使基极电压VB2B，达到规定值,在电流表上的读数即为第二基极电流IB2Bl值.由下式求出基极间电阻R。的值:,_ V。，二.,RBB=葛荔..(2 ),d. 规定条件,基极电压;,发射极开路,发射极饱和压降(VEBl(u,)),目的,在规定的……
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